2026 年 10 月 15 日——长鑫存储总裁曹堪宇于 10 月 10 日在第四届集成芯片和芯粒大会上宣布，公司预计今年年底推出融合 4F² 存储单元架构的新一代 DDR5 RDIMM 服务器内存；消息公布后，10 月 13 日（周二）美光科技股价下跌 3.62%，SK 海力士收跌 10%，三星电子下跌 7.4%，闪迪、希捷、西部数据同步下滑。

1. 官宣内容：首代 4F² 产品直接切入服务器内存

据《中国经营报》10 月 11 日报道，曹堪宇在大会上介绍了长鑫存储在 DRAM 器件、4F² 架构及混合键合三个方向的技术积累，并官宣预计 2026 年年底推出融合上述技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品，首发面向服务器与数据中心市场。此次演讲未披露该产品的容量、频率等具体规格和确切发布时间。

官方口径中，4F² 架构最核心的创新是自研的 VSG（Vertical Surrounded Gate，垂直环绕栅）晶体管。传统 DRAM 晶体管为水平沟道、栅极仅位于沟道一侧，工艺微缩后漏电与短沟道效应加剧；VSG 晶体管采用垂直沟道、栅极四周包裹的结构，可实现更强的栅极控制，同时竖立的晶体管有助于面积微缩与存储密度提升。

DDR5 RDIMM（带寄存器的双列直插内存模块）是当前服务器市场的主流内存形态，对性能、稳定性与兼容性要求远高于消费级内存。长鑫存储此前产品以移动端与消费级为主，此次将 4F² 架构首代产品直接定位于服务器内存，意味着其把该单元架构延伸至竞争最激烈的服务器 DRAM 市场。

2. 4F² 架构是什么：单元面积较主流 6F² 缩减约三分之一

DRAM 的一个存储单元通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）构成，业内以最小特征尺寸 F 的平方来衡量单元面积。当前行业主流为 6F² 布局，长鑫此次宣布的 4F² 架构将单元面积压缩至 4 倍 F²。

项目 6F²（当前主流） 4F²（长鑫新一代）
单元构成 1 晶体管 + 1 电容 1 晶体管 + 1 电容
单元面积 6×F² 4×F²，较 6F² 缩减约三分之一
存储密度收益 基准 据媒体报道，单颗芯片密度可提升 30%~50%
成本与功耗 基准 单位容量成本与功耗有望下降

据媒体报道，长鑫存储 2021 年发布了中国内地第一篇关于 4F² 架构的论文，2023 年与 2025 年又两次发布进展论文，相关公开专利超过 300 件。海外方面，据 CNBC 报道，SK 海力士同样在推进 4F² 路线，其于 2025 年展示过相关路线图；另据媒体报道，三星电子预计要到 2028 年才会引入该架构。

3. 市场反应：周二存储芯片股普跌

据 CNBC 10 月 13 日报道，消息公布后的首个美股交易日（周二），存储板块普遍下挫：

公司 上市市场 10 月 13 日表现
美光科技（MU） 美股 下跌 3.62%
SK 海力士 韩股 收跌 10%
三星电子 韩股 下跌 7.4%
闪迪、希捷、西部数据 美股 同步下滑，CNBC 未列明具体幅度

事实上，10 月 12 日（周一）美股存储板块已先行下跌一轮：据证券之星报道，闪迪跌 6.53%、芯源系统（SIMO）跌 6.26%、Rambus 跌 4.61%、美光跌 4.04%、SK 海力士 ADR 跌 4.01%。

数据口径说明：个股涨跌幅为 CNBC、证券之星等媒体报道口径，非交易所结算数据；长鑫存储官方未披露新产品的规格与具体发布日期，"年底推出"为公司在大会上的预计时间。

4. 行业背景：长鑫份额一年间从约 4% 升至约 10%

据 CNBC 转述，汇丰银行在 10 月 8 日的一份报告中估计，长鑫存储在全球 DRAM 市场的份额已升至约 10%，而一年前约为 4%。花旗银行在 8 月的报告中分析，美国市场大概率不会准入中国产内存，但长鑫对欧洲等其他数据中心市场的销售可能间接影响美光。

长鑫存储 2016 年成立于合肥，2026 年 7 月登陆上交所科创板，上市首日股价一度上涨近 466%；据 CNBC 报道，其目前市值约 3.46 万亿元人民币（约 5200 亿美元）。服务器 RDIMM 市场长期由三星、SK 海力士、美光三家主导，此次 4F² 产品若如期在年底推出，将是长鑫首次以新架构产品进入该市场，后续实际规格、量产进度与客户导入情况仍有待观察。